[发明专利]场效应晶体管在审
| 申请号： | 202211207149.8 | 申请日： | 2022-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115548092A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 刘勇;罗鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳氮芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘自丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种场效应晶体管，该场效应晶体管包括衬底、成核层、缓冲层、势垒层、源极、漏极、栅极结构和介质层。其中，所述成核层、所述缓冲层和所述势垒层从下至上依次层叠设置于衬底上，所述源极、所述漏极、所述栅极结构和所述介质层均设置于所述势垒层上，所述栅极结构位于所述源极和所述漏极之间，所述介质层位于所述源极和所述栅极结构之间以及所述栅极结构和所述漏极之间，所述介质层包括第一子介质层和第二子介质层，所述第二子介质层覆盖于所述第一子介质层上。本方案可以提高栅极的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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