[发明专利]场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上从下至上依次层叠设置有成核层、缓冲层和势垒层；

源极，所述源极设置于所述势垒层上；

漏极，所述漏极设置于所述势垒层上；

栅极结构，所述栅极结构设置于所述势垒层上；

介质层，所述介质层设置于所述势垒层上，且位于所述源极和所述栅极结构之间以及所述栅极结构和所述漏极之间，所述介质层包括第一子介质层和第二子介质层，所述第二子介质层覆盖于所述第一子介质层上。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第一子介质层包括第一介质分层和第二介质分层，所述第一介质分层和所述第二介质分层分别设置于所述栅极结构的两侧；

所述第二子介质层包括第三介质分层和第四介质分层，所述第三介质分层和所述第四介质分层分别设置于所述栅极结构的两侧。

3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第一子介质层的介电常数小于所述第二子介质层的介电常数。

4.如权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第一介质分层的介电常数小于所述第二介质分层的介电常数，所述第三介质分层的介电常数小于所述第四介质分层的介电常数。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极结构包括第一导电类型高阻层和栅极，所述高阻层位于所述栅极和所述势垒层之间，所述高阻层中具有第二导电类型掺杂区。

6.如权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第二导电类型掺杂区包括至少一个第一子掺杂区和至少一个第二子掺杂区，所述第一子掺杂区位于所述高阻层靠近所述源极的一侧，所述第二子掺杂区位于所述高阻层靠近所述漏极的一侧。

7.如权利要求6所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第一子掺杂区一侧与所述高阻层靠近所述源极一侧的边缘平齐，所述第二子掺杂区的一侧与所述高阻层靠近所述漏极一侧的边缘平齐。

8.如权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，或，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

9.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极分别与所述势垒层形成欧姆接触，所述高阻层与所述栅极形成肖特基接触。

10.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述高阻层的材料为氮化镓，所述势垒层的材料为铝镓氮，所述缓冲层的材料为氮化镓，所述成核层的材料为氮化铝。