[发明专利]硼扩散方法在审
| 申请号： | 202211194270.1 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115547818A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 三一集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18;H01L31/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李梦晨 |
| 地址： | 410100 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及光伏电池技术领域，提供一种硼扩散方法，包括将硅片放入至扩散炉内，并调整扩散炉内的温度和压力；对硅片进行前氧化操作、以在硅片的表面形成氧化层；向扩散炉内通入氧气和硼源，进行沉积处理；将沉积处理时的气态反应生成物以及剩余的硼源排出至扩散炉的外部；升高扩散炉内的温度，进行一次推进处理至目标量的硼扩散至硅片内；向扩散炉内通入水蒸气、以对硅片表面进行清洗；升高扩散炉内的温度，进行二次推进处理；调整扩散炉内的温度和压力，并将硅片从扩散炉内取出。如此设置，解决了现有技术中在降低硼含量时存在的硼含量分布不均匀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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