[发明专利]硼扩散方法在审
| 申请号： | 202211194270.1 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115547818A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 三一集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18;H01L31/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李梦晨 |
| 地址： | 410100 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散 方法 | ||
1.一种硼扩散方法，其特征在于，包括：
将硅片放入至扩散炉内，并调整所述扩散炉内的温度和压力；
对所述硅片进行前氧化操作、以在所述硅片的表面形成氧化层；
向所述扩散炉内通入氧气和硼源，进行沉积处理；
将所述沉积处理时的气态反应生成物以及剩余的所述硼源排出至所述扩散炉的外部；
升高所述扩散炉内的温度和压力，进行一次推进处理至目标量的硼扩散至所述硅片内；
向所述扩散炉内通入水蒸气、以对所述硅片表面进行清洗；
升高所述扩散炉内的温度，进行二次推进处理；
调整所述扩散炉内的温度和压力，并将所述硅片从所述扩散炉内取出。
2.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述向所述扩散炉内通入水蒸气，包括：
向所述扩散炉内通入氮气和水蒸气，所述氮气的流量大于所述水蒸气的流量。
3.根据权利要求2所述的硼扩散方法，其特征在于，所述水蒸气的体积流量为100-2000sccm。
4.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述硼源为三氯化硼气体，所述三氯化硼气体的体积流量为50-1000sccm，所述氧气的体积流量为100-5000sccm。
5.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述一次推进处理在氮气氛围下进行。
6.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述二次推进处理在氮气和氧气的氛围下进行。
7.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述向所述扩散炉内通入氧气和硼源，包括：
向所述扩散炉内通入氮气、所述氧气和所述硼源的混合气体。
8.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述将硅片放入至扩散炉内和所述将所述硅片从所述扩散炉内取出时，持续向所述扩散炉内通入氮气。
9.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述调整所述扩散炉内的温度和压力，包括：
对所述扩散炉进行抽气处理，使所述扩散炉内的压力降低至目标压力；
升高所述扩散炉内的温度至目标温度。
10.根据权利要求9所述的硼扩散方法，其特征在于，所述使所述扩散炉内的压力降低至目标压力之后，还包括：
对所述扩散炉的气密性进行检测。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三一集团有限公司，未经三一集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211194270.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
