[发明专利]一种薄层二维材料的转移方法在审
| 申请号： | 202211190612.2 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115650295A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 王佩剑;洪煜堃;郑智元;潘宝俊;张致翔;蓝善贵 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01B33/02;C01B32/194;C01B21/064;C01B19/04;C01G41/00 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄层材料集成与应用领域，特别涉及一种薄层二维材料的转移方法。将制备好的薄层二维材料湿法旋涂第一转移膜，将第二转移膜附着于第一转移膜之上，再通过显微镜头下定位转移的方法进行薄层二维材料到目标衬底、电极或者其他薄层材料上的精准转移。使用本发明可以使与衬底结合力高的材料也能精准转移到目标衬底的目标位置，实现制备少见或者难以生长的异质结或者精准构筑器件，同时实现目标衬底为超薄硅和阵列化电极的转移应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄层 二维 材料 转移 方法 | ||
【主权项】：
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