[发明专利]一种薄层二维材料的转移方法

权利要求书

1.一种薄层二维材料的转移方法，其特征在于，包括：

提供初始衬底，所述初始衬底表面形成有薄层二维材料；

在所述初始衬底和薄层二维材料表面形成第一转移膜，所述第一转移膜与所述薄层二维材料的接触面为第一表面，所述第一表面的对应反面为第二表面，所述第一转移膜的第一表面与薄层二维材料的粘附力大于初始衬底和薄层二维材料的粘附力；

利用所述第一转移膜将所述薄层二维材料从所述初始衬底表面剥离；

在所述第一转移膜的第二表面粘贴第二转移膜，利用所述第二转移膜将所述薄层二维材料和第一转移膜定位并转移到目标衬底的表面；

依次去除所述第二转移膜、所述第一转移膜，实现所述薄层二维材料到所述目标衬底的转移。

2.如权利要求1所述的一种薄层二维材料的转移方法，其特征在于，所述第二转移膜为热释放转移胶膜。

3.如权利要求2所述的一种薄层二维材料的转移方法，其特征在于，所述热释放转移胶膜为PDMS胶膜、PBS胶膜或PVC胶膜。

4.如权利要求2所述的一种薄层二维材料的转移方法，其特征在于，去除所述第二转移膜的方法为：加热到80-100℃，实现所述第一转移膜从所述第二转移膜上的热释放。

5.如权利要求1所述的一种薄层二维材料的转移方法，其特征在于，所述第一转移膜为PS膜、PMMA膜、PVA膜、PC膜、PCL膜其中的一种。

6.如权利要求1所述的一种薄层二维材料的转移方法，其特征在于，当所述第一转移膜为PS膜，形成所述PS膜的工艺步骤为：在所述初始衬底和薄层二维材料表面旋涂PS甲苯溶液，先进行15秒转速为500rpm的旋涂，加速度为100-150rpm/s，再进行60秒3000rpm的旋涂，加速度为400-500rpm/s，再加热至100℃烘烤并保持60秒，形成PS膜。

7.如权利要求6所述的一种薄层二维材料的转移方法，其特征在于，所述PS甲苯溶液为150-175mg的聚苯乙烯加入1ml甲苯溶液的比例所配置的PS溶液。

8.如权利要求7所述的一种薄层二维材料的转移方法，其特征在于，去除所述第一转移膜的方法包括：将粘附有所述PS膜的目标衬底浸没到甲苯中去除所述PS膜。

9.如权利要求1所述的一种薄层二维材料的转移方法，其特征在于，在所述第一转移膜表面粘贴有所述第二转移膜之前，先在所述第一转移膜的边缘形成裂口，注入少量去离子水，将所述第一转移膜及所述第一转移膜表面粘附的所述薄层二维材料与所述初始衬底剥离，将剥离后的所述第一转移膜的第二表面贴附到所述第二转移膜上。

10.如权利要求1所述的一种薄层二维材料的转移方法，其特征在于，所述薄层二维材料为二硫化钼、二硫化钨、石墨烯、二硒化钨、硒化铂、氮化硼、硒化铟、超薄硅、阵列化的电极其中的一种。