[发明专利]一种双栅大电阻一体化器件、制备方法及射频前端在审
| 申请号： | 202211179100.6 | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115863421A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 邹旭;张濛;马晓华;武玫;侯斌;杨凌 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅大电阻一体化器件、制备方法及射频前端，该器件自下而上依次包括：衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层，其中，势垒层上设置有钝化层；钝化层上设置有两个刻蚀至势垒层上表面的凹槽，两个凹槽内分别形成有用做功放的T型射频栅和用作开关的T型直流栅，且T型射频栅和T型直流栅的栅脚插入凹槽，栅帽覆盖于栅脚及凹槽两侧的钝化层上；直流栅连接有阻值大于10kΩ的栅极电阻；在沟道层上且势垒层的两端分别设置有源极和漏极；对T型直流栅施加不同的电压，可控制二维电子气沟道的开启程度，以实现功放器件的增益调节。本发明可以使得射频前端芯片面积大幅度缩减，且可以提高击穿电压，同时插入损耗减小，隔离度稳定性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双栅大 电阻 一体化 器件 制备 方法 射频 前端 | ||
【主权项】：
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