[发明专利]基于第二级栅极反馈结构的超宽带共源共栅低噪声放大器有效
| 申请号： | 202211170679.X | 申请日： | 2022-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115276567B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 陈阳;方恒;孙文杰;赖娴;延波;张勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/42;H03F3/04 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于低噪声放大器技术领域，具体提供基于第二级栅极反馈结构的超宽带共源共栅低噪声放大器，通过在芯片部分中引入第二级栅极反馈：一端连接于共栅级晶体管T2（第二级晶体管）的漏极与芯片输出端口之间，另一端连接于共栅级晶体管T2的栅极与接地电容之间；与现有第一级栅极反馈结构相比，本发明能够有效克服其以牺牲噪声系数为代价改善端口反射系数的问题；与现有第一级漏极反馈结构相比，本发明能够有效克服其对端口驻波的调节作用极其有限的问题；最终，本发明能够显著降低器件的输入端口反射系数、输出端口反射系数，增加器件的输出1dB压缩点，并且保持器件优异的噪声系数，进而实现超宽带共源共栅低噪声放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 第二级 栅极 反馈 结构 宽带 共源共栅 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
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