[发明专利]基于第二级栅极反馈结构的超宽带共源共栅低噪声放大器

权利要求书

1.基于第二级栅极反馈结构的超宽带共源共栅低噪声放大器，包括：输入片外匹配、输出片外匹配、芯片部分；其特征在于，所述芯片部分包括：共源级晶体管T1、共栅极晶体管T2及反馈支路，所述反馈支路一端连接于共栅级晶体管T2的漏极与芯片输出端口之间，另一端连接于共栅级晶体管T2的栅极与接地电容之间；所述反馈支路由电阻RF1与电容CF1串联构成，所述反馈支路的反馈量与电阻RF1的阻值呈负相关，电阻RF1设置为≤5000欧姆；所述反馈支路用于降低超宽带共源共栅低噪声放大器的输入端口反射系数、输出端口反射系数，增加超宽带共源共栅低噪声放大器的输出1dB压缩点；

所述芯片部分中，共源级晶体管T1的栅极连接芯片输入端口，共源级晶体管T1的源极通过电感L1接地，共源级晶体管T1的漏极与共栅极晶体管T2的源极通过传输线TL1连接，共栅极晶体管T2的漏极通过传输线TL2与芯片输出端口连接，共栅极晶体管T2的栅极串联电阻R1与接地电容C1到地，芯片输出端口串联大电阻R2与大电阻R3到地，大电阻R2与大电阻R3的连接点连接电阻R1与接地电容C1的连接点、实现共栅极晶体管T2栅极馈电，芯片输出端口串联电阻R4与电容C2到地；

所述输入片外匹配包括：电容CB1与第一级栅压馈电支路，电容CB1连接于器件输入端口与芯片输入端口之间，第一级栅压馈电支路由馈电电感LB1、并联接地的旁路滤波电容CB2与旁路滤波电容CB3构成，第一级栅压馈电支路连接于栅压端口与芯片输入端口之间；

所述输出片外匹配包括：电容CB4与第二级漏压馈电支路，电容CB4连接于芯片输出端口于器件输出端口之间，第二级漏压馈电支路由馈电电感LB2、并联接地的旁路滤波电容CB5与旁路滤波电容CB6构成，第二级漏压馈电支路连接于漏压端口与芯片输出端口之间。