[发明专利]外延膜制备方法在审
| 申请号： | 202211152329.0 | 申请日： | 2022-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN115579429A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 张立胜;沈波;许福军;李峰 | 申请（专利权）人： | 北京中博芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/22;C23C14/06;C23C16/34;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京恒博知识产权代理有限公司 11528 | 代理人： | 张晓芳 |
| 地址： | 101300 北京市顺义区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种外延膜制备方法，包括以下步骤：于衬底上生长缓冲层；对所述缓冲层以及所述衬底进行退火，以使所述缓冲层二次结晶且形成有孔洞结构；于所述缓冲层上形成图形结构；于所述缓冲层的图形结构上生长外延层，本申请的外延膜制备方法能够提高外延膜的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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