[发明专利]一种集成电路引线框架表面处理工艺有效
| 申请号： | 202211149208.0 | 申请日： | 2022-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN115458413B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 康亮;胡晓涛;李小虎 | 申请（专利权）人： | 天水华洋电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 陆华 |
| 地址： | 741020 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及引线框架表面处理技术领域，尤其是一种集成电路引线框架表面处理工艺，步骤1：配制有机处理液，所述有机处理液主要组分包括硫酸、双氧水、铜保护剂；步骤2：使用步骤1中配制好的有机处理溶液对引线框架原材料或引线框架进行喷淋处理；在对引线框架表面处理时，通过将有机处理液组分的体积比限定为：硫酸含量为1‑3%，双氧水0.8%‑2%，铜保护剂1.5%，稳定剂1%，其余为水，可以准确找到合理的配比区间，通过该配比完成的有机处理液，可以使得对引线框架表面的处理过程更加稳定，维持合理的处理，避免处理后材料表面变粗程度过高，失去原有金属光泽，达不到需要的结果，造成色差明显的问题发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 引线 框架 表面 处理 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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