[发明专利]一种基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211138857.0 | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN115513294A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 李学飞;郭琪;史新航 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/227;C23C16/30 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李晓飞 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。器件包括：p型掺杂硅衬底、设置在所述p型掺杂硅衬底上的二氧化硅栅介质、设置在所述二氧化硅栅介质上的3R相双层二硒化钨沟道材料及设置在所述3R相双层二硒化钨沟道材料表面的源漏电极。同时还提出了一种基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管制备方法。本发明制备的基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管能够提升场效应晶体管的电学性能，有利于未来过渡金属硫属族化合物的大规模器件集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 型二硒化钨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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