[发明专利]一种基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管，其特征在于，包括：

p型掺杂硅衬底、设置在所述p型掺杂硅衬底上的二氧化硅栅介质、设置在所述二氧化硅栅介质上的3R相双层二硒化钨沟道材料及设置在所述3R相双层二硒化钨沟道材料表面的源漏电极。

2.根据权利要求1所述的基于3R相的二硒化钨场效应晶体管，其特征在于，所述3R相双层二硒化钨沟道材料的厚度为1.4纳米。

3.根据权利要求1所述的基于3R相的二硒化钨场效应晶体管，其特征在于，所述二氧化硅栅介质的厚度为5-300纳米。

4.根据权利要求1所述的基于3R相的二硒化钨场效应晶体管，其特征在于，所述源漏电极包括底层接触金属和上层金属；

所述底层接触金属材料为镍、铂、钯中的一种；

所述上层金属材料为金、银、钯、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴或铁中的一种。

5.根据权利要求4所述的基于3R相的二硒化钨场效应晶体管，其特征在于，所述底层接触金属材料为10-30纳米厚度的镍，所述上层金属材料为30-60纳米厚度的金。

6.一种如权利要求1-5任意一项所述的基于3R相的二硒化钨场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S1、清洗具有p型掺杂且表面为二氧化硅的硅衬底，高温快速退火；

步骤S2、采用盐辅助化学气相沉积生长3R相与2H相的双层二硒化钨；

步骤S3、对所述3R相与2H相的双层二硒化钨制备标记层；

步骤S4、隔离区域刻蚀，包括：利用标记层定位3R相双层二硒化钨的位置，在所述3R相双层二硒化钨的表面定义有源区和隔离区；

步骤S5、在所述3R相双层二硒化钨表面制备源漏电极。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，对所述硅衬底进行高温快速退火过程中，使用高温快速退火炉装置，退火温度850-1050摄氏度，退火时间为1分钟。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述刻蚀为反应离子刻蚀。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤S2中，所述盐辅助化学气相沉积的条件参数为：氯化钾质量0～5毫克，二氧化钨质量30～50毫克，硫单质粉末质量为100～300毫克，生长温度850～1050摄氏度，通入90～110标准流量的氩气及8～12标准流量的氢气，生长压强1000～2500帕，生长时间10～20分钟。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤S3中，所述标记层的材料包括底层接触金属和上层金属：底层接触金属为20纳米镍，上层金属为40纳米金。