[发明专利]一种准垂直型功率器件的结构及其制作方法、芯片在审
| 申请号： | 202211128870.8 | 申请日： | 2022-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN115548114A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 吴龙江 | 申请（专利权）人： | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 欧国聪 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区沙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体的技术领域，提供一种准垂直型功率器件的结构，准垂直型功率器件的结构包括衬底、缓冲层、第一金属层、绝缘层以及第二金属层：缓冲层位于衬底的上表面，且在水平面上设有多个依次排列的沟槽；第一金属层设置于多个沟槽中且位于多个沟槽的下表面，第一金属层的上表面低于多个沟槽的上表面；绝缘层设置于多个沟槽中且位于第一金属层的上表面；第二金属层位于绝缘层的上表面和缓冲层的上表面；防止了电流集边效应，并提高了耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 功率 器件 结构 及其 制作方法 芯片 | ||
【主权项】：
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