[发明专利]一种准垂直型功率器件的结构及其制作方法、芯片

权利要求书

1.一种准垂直型功率器件的结构，其特征在于，所述准垂直型功率器件包括：

衬底；

缓冲层，位于所述衬底的上表面，且在水平面上设有多个依次排列的沟槽；

第一金属层，设置于多个所述沟槽中且位于多个所述沟槽的下表面，所述第一金属层的上表面低于多个所述沟槽的上表面；

绝缘层，设置于多个所述沟槽中且位于所述第一金属层的上表面；

第二金属层，位于所述绝缘层的上表面和所述缓冲层的上表面。

2.如权利要求1所述的准垂直型功率器件的结构，其特征在于，还包括：

势垒层，设置于所述缓冲层上且位于所述第二金属层和所述缓冲层之间。

3.如权利要求2所述的准垂直型功率器件的结构，其特征在于，所述缓冲层为GaN，所述势垒层为ALGaN。

4.如权利要求1所述的准垂直型功率器件的结构，其特征在于，还包括：

通孔，位于所述缓冲层中以连接多个所述沟槽中的所述第一金属层；

所述通孔中填充金属。

5.如权利要求1或2所述的准垂直型功率器件的结构，其特征在于，所述沟槽的下表面与所述缓冲层的下表面位于同一平面，所述绝缘层的上表面和所述缓冲层的上表面位于同一平面；或，所述绝缘层的上表面和所述势垒层的上表面位于同一平面。

6.如权利要求1所述的准垂直型功率器件的结构，其特征在于，所述多个所述沟槽为柱形；或者

多个所述沟槽为环形，环形的多个所述沟槽层层嵌套排列。

7.一种准垂直型功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上表面形成第一外延层；

移除部分所述第一外延层以形成缓冲层；所述缓冲层在水平面上设有多个依次排列的沟槽；

在所述沟槽的下表面形成第一金属层；

在所述第一金属层的上表面形成绝缘层；

在所述绝缘层的上表面和所述缓冲层的上表面形成第二金属层。

8.如权利要求7所述的准垂直型功率器件的制造方法，其特征在于，所述在衬底上形成第一外延层之后还包括：

在所述第一外延层上表面形成第二外延层；

所述移除部分所述第一外延层以形成缓冲层具体为：

移除部分所述第一外延层以形成缓冲层，并移除部分所述第二外延层以形成势垒层。

9.如权利要求7所述的准垂直型功率器件的制造方法，其特征在于，所述在所述沟槽的下表面形成第一金属层之后包括：

移除部分所述缓冲层以形成通孔，并在所述通孔中填充金属。

10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括至少一个如权利要求1-6任一项所述的准垂直型功率器件的结构。