[发明专利]在柔性碳基底生长垂直二硫化钨的方法、二硫化钨-碳复合材料及应用在审
| 申请号： | 202211124043.1 | 申请日： | 2022-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN115483041A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 巩倩;康黎星;李清文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/36;H01G11/32;H01G11/46 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在柔性碳基底生长垂直二硫化钨的方法、二硫化钨‑碳复合材料及应用。所述方法包括：在碳纳米管薄膜上生长形成碳镀层，得到碳镀层/碳纳米管复合薄膜；在其表面生长三氧化钨，得到三氧化钨/碳镀层/碳纳米管复合薄膜；再进行硫化处理，使形成的二硫化钨纳米片垂直生长于碳镀层/碳纳米管复合薄膜上，制得二硫化钨‑碳复合材料。本发明通过化学气相沉积方法，在易于滑移变形的CNT薄膜表面沉积碳镀层，可阻止CNTs的滑移，改善基底的稳定性，进而有效实现二硫化钨纳米片的垂直生长，制备过程简单，易于控制；并且，制备得到的二硫化钨纳米片垂直率高，在很大程度上保证较多的活性边缘暴露，在电化学领域应用前景广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 基底 生长 垂直 硫化 方法 复合材料 应用 | ||
【主权项】：
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