[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211098899.6 | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN115440811A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 张忠宇;胡凯;何惠欣 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氮基半导体器件，包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅电极介电层、源电极及漏电极、氮化物导电层以及栅电极。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，第二氮化物半导体层的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。栅电极介电层设置在第二氮化物半导体层上。源电极及漏电极设置在栅电极介电层上，并穿过栅电极介电层且与第二氮化物半导体层接触。氮化物导电层设置在栅电极介电层上，并接触栅电极介电层，且氮化物导电层位在源电极与漏电极之间。栅电极设置在氮化物导电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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