[发明专利]一种单晶硅表面清洗方法有效
| 申请号： | 202211096869.1 | 申请日： | 2022-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN115662877B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吕金虎 | 申请（专利权）人： | 东海县太阳光新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08;B24B29/02;C09G1/02;C11D1/22;C11D3/04;C11D7/04;C11D7/08 |
| 代理公司： | 连云港联创专利代理事务所(特殊普通合伙) 32330 | 代理人： | 张传宏 |
| 地址： | 222000 江苏省连云*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅表面清洗方法，属于单晶硅表面处理技术领域，具体涉及采用非牛顿流体对单晶硅材料进行表面抛光处理，非牛顿流体由无机粉末、液体剂、增稠剂混合形成，无机粉末至少含有氧化铝或氧化铈，增稠剂至少含有聚乙烯醇，以及羧甲基纤维素钠、羟丙基甲基纤维素、羟乙基纤维素、聚谷氨酸改性物中至少一种；聚谷氨酸改性物为阳离子改性聚谷氨酸、胺醛化改性聚谷氨酸或杂化改性聚谷氨酸，阳离子改性聚谷氨酸由阳离子改性剂对聚谷氨酸改性得到，胺醛化改性聚谷氨酸由二乙醇胺、甲醛对聚谷氨酸改性得到，杂化改性聚谷氨酸由胺醛化改性聚谷氨酸与阳离子改性剂混合反应得到。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 表面 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东海县太阳光新能源有限公司，未经东海县太阳光新能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211096869.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：相位调制编解码器、装置以及量子密钥分发系统
- 下一篇：一种显示面板及显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
