[发明专利]一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法在审
| 申请号： | 202211096122.6 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115451929A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘超然;郭礼康;杨勋;郑驰霖;江迪莎;董林玺;王高峰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01C19/00 | 分类号： | G01C19/00;B81C1/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法。硅纳米线陀螺仪包括SOI硅片，SOI硅片的顶层硅表面设有氮化硅薄膜；其中，顶层硅形成有悬空的质量块及其连接的三条硅纳米线，硅纳米线沿质量块的周侧分布；质量块及硅纳米线的表面均附着有氮化硅薄膜；顶层硅之上设有与体硅导电连接的正、负电极；SOI硅片还具有从氮化硅薄膜刻蚀至氧化层的隔离沟道，以实现正、负电极的物理隔绝；悬空的氮化硅薄膜上设置栅极，栅极用于调制硅纳米线沟道的载流子浓度，即调节硅纳米线沟道的电导，进而寻找出器件的最佳工作点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 栅极 调控 纳米 陀螺仪 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
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