[发明专利]原子层刻蚀装置及刻蚀方法有效
| 申请号： | 202211081424.6 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115172134B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 张洪国;刘磊;唐继远 | 申请（专利权）人： | 江苏鹏举半导体设备技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 226010 江苏省南通市开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种原子层刻蚀装置及刻蚀方法，通过设置刻蚀空间，在刻蚀空间内设置环形穿梭路径，穿梭盘沿穿梭路径循环往复运行，每条穿梭路径上布置有偶数个内反应腔，穿梭盘在传动机构的驱动下依次穿过相应穿梭路径上的所有内反应腔，使得每个穿梭盘每转过一周其上承载的待刻蚀基片承受至少一次原子层刻蚀，控制穿梭盘沿穿梭路径运行的速度、圈数，就能在待刻蚀基片表面得到一定的刻蚀深度，控制穿梭盘的数量，就可以控制单位时间刻蚀的基片的数量，提升刻蚀速率和产能，而且，在两间隔设置的内反应腔之间的吹扫路径的上方设置吹扫件，对在吹扫路径上运行的基片进行吹扫，提高吹扫的效率，加快刻蚀的速率。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】：
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