[发明专利]一种纯硅负极及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211080429.7 | 申请日： | 2022-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN115377355A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李刚;陈规伟;冀亚娟 | 申请（专利权）人： | 惠州亿纬锂能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/1395;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘二艳 |
| 地址： | 516006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纯硅负极及其制备方法和应用，所述纯硅负极包括集流体和设置于所述集流体表面的活性物质层，所述活性物质层包括硅、粘结剂、电解质和导电剂，所述硅的粒径为0.5～10μm，本发明使用纯硅作为负极活性材料，纯硅负极可最大发挥硅高容量的优点同时避免各种副反应的发生，将纯硅与全固态电池相结合不仅可以发挥两者优势还能互补改善两者缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 负极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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