[发明专利]一种半导体器件、共源共栅级联器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211064322.3 | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN115440810A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陈雪磊;刘庆波;刘杉;黎子兰 | 申请（专利权）人： | 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L25/18;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 221100 江苏省徐州市铜山区徐州高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件、共源共栅级联器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，在进行级联封装时，可以使得常通型器件、常断型器件和半导体器件中的电阻电极进行级联，从而对应形成共源共栅级联器件，由此，在进行共源共栅级联器件的封装时，可以通过直接将半导体器件贴装至封装框架内的方式实现常通型器件和电阻的同时贴装，从而简化了封装的步骤，降低了封装的难度和封装的成本，同时，也能够有效的减小封装后的整体体积。此外，将电阻直接内置于常通型器件的内部，可以有效的提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 共源共栅 级联 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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