[发明专利]一种逆导型IGBT器件在审
| 申请号： | 202211063214.4 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115312595A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 许海东;於正新 | 申请（专利权）人： | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京睿之博知识产权代理有限公司 32296 | 代理人： | 杨雷 |
| 地址： | 211102 江苏省南京市江宁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种逆导型IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域。所述逆导型IGBT器件包括半导体衬底和正面金属层，半导体衬底一侧设有若干沟槽结构，沟槽结构内填充有多晶硅栅，半导体衬底分为IGBT部分和FRD部分；逆导型IGBT器件设有IGBT栅极平台和FRD栅极平台，IGBT部分内一部分多晶硅栅通过IGBT栅极平台电性相连，另一部分多晶硅栅与正面金属层电性相连；FRD部分内多晶硅栅全部通过FRD栅极平台电性相连或者FRD部分内一部分多晶硅栅通过FRD栅极平台电性相连，另一部分多晶硅栅与正面金属层电性相连。本发明实现了同时优化逆导型IGBT器件IGBT和FRD两种不同工作模式下的性能表现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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