[发明专利]一种GaN基Micro-LED芯片的制备方法及芯片在审
| 申请号： | 202211047521.3 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115224169A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 朱凯;张广谱;马英豪 | 申请（专利权）人： | 深圳创维-RGB电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王娅洁;秦胜军 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种GaN基Micro‑LED芯片的制备方法及芯片，其中，该GaN基Micro‑LED芯片的制备方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、n‑GaN层、量子阱有源层以及p‑GaN层，得到LED外延材料；将LED外延材料从p‑GaN层以及量子阱有源层刻蚀至n‑GaN层，露出n‑GaN层，使得n‑GaN层与p‑GaN层形成台阶结构；将具有台阶结构的LED外延材料进行第一次表面预处理，使得台阶结构的表面形成氧化层；第一次表面预处理之后，将LED外延材料的台阶结构进行第二次表面预处理；第二次表面预处理之后，在n‑GaN层上制备n电极，以及在p‑GaN层上制备p电极。该制备方法相较于现有的制备方法，能够在LED外延材料表面形成氧化层，消除刻蚀损伤，能够增强金属电极与GaN的接触性能，从而降低器件电压，提高Micro‑LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan micro led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳创维-RGB电子有限公司，未经深圳创维-RGB电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211047521.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
