[发明专利]一种铁电负电容场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211043686.3 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115425074A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 柯晴青;刘冰涛;孙晗熙;郇昌梦 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L21/3105;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 黄诗彬 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铁电负电容场效应晶体管及其制备方法，涉及晶体管领域。该铁电负电容场效应晶体管包括衬底、绝缘氧化层、沟道层、绝缘缓冲层、栅极介质层、栅极铁电层和电极；衬底位于底层，绝缘氧化层设于衬底的上侧，沟道层设于绝缘氧化层的上侧，绝缘氧化层上位于沟道层的端部还设有漏区和源区；绝缘缓冲层设于沟道层的上侧，栅极介质层、栅极铁电层和电极由下至上依次设于绝缘缓冲层上；漏区对应绝缘缓冲层、栅极介质层、栅极铁电层和电极的外侧设有侧墙，源区对应绝缘缓冲层、栅极介质层、栅极铁电层和电极的外侧设有侧墙。在生成栅极介质层后和生成栅极铁电层后，引入远程等离子源起到钝化界面缺陷的作用，减少了静态扫描下的滞回窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铁电负 电容 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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