[发明专利]一种溴氧化铋忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211040882.5 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115275008A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 李燕;董小飞;孙浩;李思源;贺倩;赵雲;陈江涛 | 申请（专利权）人： | 西北师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 郑州坤博同创知识产权代理有限公司 41221 | 代理人： | 汪二照 |
| 地址： | 730000 甘肃省*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种溴氧化铋忆阻器，包括自下而上依次形成的底电极层FTO导电玻璃层、阻变层溴氧化铋‑聚甲基丙烯酸甲酯复合阻变膜层和顶电极层Al电极。制备方法为：制备BiOBr前驱液—制备BiOBr粉末—制备BiOBr‑PMMA复合溶液—清洗FTO导电玻璃基底—制备BiOBr‑PMMA复合阻变膜—组装Al/BiOBr‑PMMA/FTO忆阻器件。本发明中Al/BiOBr‑PMMA/FTO忆阻器件中的BiOBr具有层状结构，且具有高活性、高稳定性、无毒性等优点，原料易得无毒、对环境友好，制备步骤简单，容易操作；PMMA为一种高分子聚合物，其光学性、绝缘性优异、具有易加工、价格低等优点。本发明首次将BiOBr和PMMA复合作为忆阻器阻变层，并获得了阻变性能优良且稳定的忆阻器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 铋忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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