[发明专利]Micro-LED外延结构及其工艺优化方法在审
| 申请号： | 202211035270.7 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115274944A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 | 代理人： | 王宁 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Micro‑LED外延结构及其工艺优化方法。该工艺优化方法先对第一外延片中第一氮化物量子阱发光层和第一氮化物缓冲层中的p型掺杂剂的浓度进行检测，根据检测结果，可以判定p型掺杂剂向第一氮化物量子阱发光层中的延伸距离，以此可以判断第一外延片的第一氮化物量子阱发光层中的倒锥坑深度是否合理，并给出工艺优化方向，再通过设置氮化物调制层，重新在氮化物量子阱发光层中形成倒锥坑或者将氮化物量子阱发光层中的倒锥坑进行隔离，无需再等到完成芯片制备及测试以后进行工艺调整，克服了生产过程中工艺调整滞后的问题，极大地提高了工艺调整效率，可以降低外延片报废率。 | ||
| 搜索关键词： | micro led 外延 结构 及其 工艺 优化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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