[发明专利]GaN衬底的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202211034622.7 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115376908A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李萍萍;林源为 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28;C09K13/00;H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN衬底的刻蚀方法，包括：在GaN衬底的顶面上形成第一掩膜层；在第一掩膜层的表面制作图案化的光刻胶层；刻蚀步骤，利用刻蚀气体连续刻蚀第一掩膜层和GaN衬底，以在GaN衬底形成由刻蚀沟槽相互隔离的多个微结构，微结构具有设定的侧壁倾角；其中，刻蚀气体包括氯基气体、含溴元素的气体以及含硼气体。本发明能够实现避免干法刻蚀高角度GaN微结构产生的微沟槽效应。 | ||
| 搜索关键词： | gan 衬底 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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