[发明专利]一种非制冷红外晶圆级封装探测器在审
| 申请号： | 202211023377.X | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115353066A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 黄立;蔡光艳;高健飞;王春水;汪超;叶帆 | 申请（专利权）人： | 武汉高芯科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 宋宝焱 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于晶圆级封装探测器技术领域，具体提供一种非制冷红外晶圆级封装探测器，利用MEMS工艺将焊料环和器件反射层上大片面积金属通过接触部连接到读出电路的地电位上，通过金属接地的方式减小寄生电容、寄生电阻，提高探测器性能；由于大片金属刻蚀工艺中聚集的大量电荷，会对器件结构产生影响，将晶圆级封装的焊料环和器件反射层通过读出电路接到地电位上，也会将金属刻蚀工艺中聚集的大量电荷通过接地的方式释放，提升了探测器的性能及器件结构的稳固，同时增加了探测器的生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制冷 红外 晶圆级 封装 探测器 | ||
【主权项】：
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