[发明专利]一种非制冷红外晶圆级封装探测器

权利要求书

1.一种非制冷红外晶圆级封装探测器，其特征在于，包括读出电路以及盖封于所述读出电路上的封装盖帽，所述读出电路与所述封装盖帽之间通过焊料环(2)连接，所述焊料环(2)呈接地设置。

2.根据权利要求1所述的一种非制冷红外晶圆级封装探测器，其特征在于：所述读出电路上具有焦平面阵列结构，所述焦平面阵列结构包括器件反射层(6)以及位于器件反射层(6)上方的微桥结构，所述器件反射层(6)呈接地设置。

3.根据权利要求2所述的一种非制冷红外晶圆级封装探测器，其特征在于：所述读出电路上设置有绝缘层，所述焊料环(2)和所述器件反射层(6)均位于所述绝缘层上方，所述绝缘层(1)上设置有电学接触部，所述焊料环(2)和/或所述器件反射层(6)通过电学接触部连接到读出电路的地电位上。

4.根据权利要求3所述的一种非制冷红外晶圆级封装探测器，其特征在于：所述绝缘层(1)上对应所述焊料环(2)和/或所述器件反射层(6)设置有多组电学接触部。

5.根据权利要求4所述的一种非制冷红外晶圆级封装探测器，其特征在于：每组所述电学接触部包括多个电学接触元件。

6.根据权利要求5所述的一种非制冷红外晶圆级封装探测器，其特征在于：所述电学接触元件包括开设于绝缘层(1)上的通孔和位于通孔内的连接金属。

7.根据权利要求6所述的一种非制冷红外晶圆级封装探测器，其特征在于：所述电学接触元件采用MEMS工艺制作而成。

8.根据权利要求1所述的一种非制冷红外晶圆级封装探测器，其特征在于：所述焊料环(2)设置为多层金属叠加键合结构。

9.根据权利要求8所述的一种非制冷红外晶圆级封装探测器，其特征在于：所述焊料环(2)的叠加键合结构的多层金属包括铜、镍、金以及锡。

10.根据权利要求1所述的一种非制冷红外晶圆级封装探测器，其特征在于：所述封装盖帽包括包括封装支柱(4)和封装盖板(3)，所述封装支柱(4)垂直设置在封装盖板(3)和读出电路之间，所述封装支柱(4)通过所述焊料环(2)与读出电路连接。