[发明专利]一种MRI超低噪声放大器在审

专利信息
申请号: 202211023282.8 申请日: 2022-08-25
公开(公告)号: CN115360985A 公开(公告)日: 2022-11-18
发明(设计)人: 谢凯 申请(专利权)人: 无锡华睿芯微电子科技有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F1/56;H03F3/185;H03F3/21;G01R33/36
代理公司: 合肥英特力知识产权代理事务所(普通合伙) 34189 代理人: 李伟;孙健
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种MRI超低噪声放大器,属于放大器技术领域,该MRI超低噪声放大器包括输入匹配电路、输出匹配电路、级间匹配电路以及晶体管电路;所述晶体管电路包含前级晶体管电路以及后级晶体管电路;本发明立足于核磁共振应用,是基于砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管PHEMT工艺搭配外围分离元件匹配技术而发明设计的应用于MRI超低噪声放大器,目的是基于砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管,通过可调节的外围匹配电路,以小型模块的形式实现射频信号的超低噪声放大功能。本发明可解决核磁共振应用的关键技术,解决现有核磁共振前置低噪声放大器在低输入阻抗条件下噪声高的瓶颈,确保核磁共振前置低噪声放大器的先进性。
搜索关键词: 一种 mri 低噪声放大器
【主权项】:
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