[发明专利]一种MRI超低噪声放大器

权利要求书

1.一种MRI超低噪声放大器，其特征在于，该MRI超低噪声放大器包括输入匹配电路、输出匹配电路、级间匹配电路以及晶体管电路；

所述晶体管电路包含前级晶体管电路以及后级晶体管电路；

所述输入匹配电路，输入端连接输入信号，输出端连接所述前级晶体管电路，用于给所述前级晶体管电路提供低输入阻抗和超低噪声输入匹配；

所述级间匹配电路，连接在所述前级晶体管电路与所述后级晶体管电路之间；

所述输出匹配电路，输入端连接所述后级晶体管电路，输出端输出信号，用于将所述后级晶体管电路匹配至设定的阻抗。

2.根据权利要求1所述的一种MRI超低噪声放大器，其特征在于，所述MRI超低噪声放大器还包括直流偏置电路，所述直流偏置电路包括前级直流偏置电路和后级直流偏置电路，所述前级直流偏置电路连接输入匹配电路和前级晶体管电路，用于给前级晶体管电路提供合适的直流偏置电压；后级直流偏置电路连接输出匹配电路和后级晶体管电路，用于给后级晶体管电路提供合适的直流偏置电压。

3.根据权利要求1所述的一种MRI超低噪声放大器，其特征在于，所述MRI超低噪声放大器还包括反馈电路，所述反馈电路用于提高整体放大器电路的稳定性和增益平坦度，所述反馈电路与后级晶体管电路和输出匹配电路相连接。

4.根据权利要求1所述的一种MRI超低噪声放大器，其特征在于，所述输入匹配电路包括电容C1、电感L1、电容C2、电容C3、电感L2和电感L3，所述电容C1的一端连接信号输入端PAD1，电容C1的另一端连接电感L1，电感L1的另一端连接电容C2、电感L2和电感L3，电感L2的另一端连接电容C3和前级晶体管电路，电容C2的另一端接地，电容C3的另一端接地，电感L3的另一端连接前级直流偏置电路。

5.根据权利要求4所述的一种MRI超低噪声放大器，其特征在于，所述前级晶体管电路为晶体管芯片Q1，晶体管芯片Q1的栅极连接电感L2和电容C3，晶体管芯片Q1的源极接地，晶体管芯片Q1的漏极连接级间匹配电路和前级直流偏置电路，晶体管芯片Q1为砷化镓场效应晶体管芯片。

6.根据权利要求5所述的一种MRI超低噪声放大器，其特征在于，所述级间匹配电路包括电感L4和电阻R3，所述电感L4的一端连接晶体管芯片Q1的漏极，电感L4的另一端连接电阻R3，电阻R3的另一端连接后级晶体管电路。

7.根据权利要求6所述的一种MRI超低噪声放大器，其特征在于，所述后级晶体管电路为晶体管芯片Q2，晶体管芯片Q2的漏极连接电阻R3，晶体管芯片Q2的栅极连接反馈电路，晶体管芯片Q2的源极连接输出匹配电路，晶体管芯片Q2为NPN硅晶体管芯片。

8.根据权利要求7所述的一种MRI超低噪声放大器，其特征在于，所述输出匹配电路包括电容C5、电容C6、电感L5、电感L6、电感L7、电容C7，所述电容C6的一端连接电容C5、电感L5、反馈电路和晶体管芯片Q2的源极，电容C6的另一端连接电容C7和电感L6，电容C7的另一端连接电感L7和信号输出端PAD2，电容C5的另一端接地，电感L6的另一端接地，电感L5的另一端连接后级直流偏置电路,电感L7的另一端连接后级直流偏置电路。

9.根据权利要求8所述的一种MRI超低噪声放大器，其特征在于，所述反馈电路包括电容C4、电阻R5和电阻R6，所述电容C4的一端连接电阻R5、电阻R6和晶体管芯片Q2的栅极，电阻R6的另一端连接晶体管芯片Q2的源极、电容C5和电容C6，电容C4的另一端连接电阻R5的另一端和接地端。

10.根据权利要求9所述的一种MRI超低噪声放大器，其特征在于，所述前级直流偏置电路包括电阻R、电阻R1和电阻R2，电阻R的一端接地，电阻R的另一端连接电阻R1，电阻R1的另一端连接电感L3和电阻R2，电阻R2的另一端连接晶体管芯片Q1的漏极，所述后级直流偏置电路包括电阻R7和电阻R8，电阻R7的一端接地，电阻R7的另一端连接电感L5和电阻R8，电阻R8的另一端连接电感L7。