[发明专利]一种适用于反熔丝FPGA中的电平位移电路有效
| 申请号： | 202211023226.4 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115102539B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张明新;马金龙;曹靓 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种适用于反熔丝FPGA中的电平位移电路，包括PMOS管P1~P4、NMOS管N1~N6和反相器M1；PMOS管P1的源端和衬底均连接编程控制电压VSV，PMOS管P1的漏端连接PMOS管P3的源端，PMOS管P1的栅端连接PMOS管P4的漏端；PMOS管P2的源端和衬底均连接编程控制电压VSV，PMOS管P2的漏端连接PMOS管P4的源端，PMOS管P2的栅端连接PMOS管P3的漏端；所述NMOS管N1的漏端连接PMOS管P3的漏端，以解决目前反熔丝FPGA编程期间低压控制高压的正确转换、以及热载流子效应损伤器件的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 反熔丝 fpga 中的 电平 位移 电路 | ||
【主权项】：
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