[发明专利]一种复合型压电薄膜及其制备方法、谐振器在审
| 申请号： | 202211020896.0 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115360995A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 林炳辉;谢杰林;蔡耀;刘炎;丁志鹏;孙博文;孙成亮 | 申请（专利权）人： | 武汉敏声新技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/17;H03H3/02;C30B25/02;C23C14/54;C30B29/40;C23C14/06;C23C14/35;C23C28/04;H01L41/316 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张萌 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种复合型压电薄膜及其制备方法、谐振器，涉及半导体技术领域，方法包括：在单晶衬底上通过高温沉积第一压电薄膜层，以此得到第一晶圆，并且通过高温沉积的方式能够使得第一压电薄膜层为单晶压电薄膜层，从而保证压电层的高质量；然后根据第一压电薄膜层的应力值来确定低温沉积的工艺参数，以此根据低温沉积的工艺参数在第一压电薄膜层上通过低温沉积第二压电薄膜层时，便可以利用第二压电薄膜层来平衡第一压电薄膜层的应力，从而降低整个复合型压电薄膜的整体应力，避免复合型压电薄膜的应力过大出现裂纹或翘曲等，实现在单晶衬底上制作同时满足高质量和低应力的压电薄膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合型 压电 薄膜 及其 制备 方法 谐振器 | ||
【主权项】：
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