[发明专利]一种复合型压电薄膜及其制备方法、谐振器

权利要求书

1.一种复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在单晶衬底上高温沉积第一压电薄膜层以得到第一晶圆，所述第一压电薄膜层为单晶压电薄膜层；

获取所述第一压电薄膜层的应力值；

根据所述第一压电薄膜层的应力值确定低温沉积的工艺参数；

根据所述低温沉积的工艺参数在所述第一压电薄膜层上低温沉积第二压电薄膜层，以使得到的所述复合型压电薄膜的目标应力值小于所述第一压电薄膜层的应力值。

2.如权利要求1所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述获取所述第一压电薄膜层的应力值包括：根据所述单晶衬底的厚度、所述单晶衬底的泊松比、所述单晶衬底的杨氏模量、所述第一压电薄膜层的厚度、所述单晶衬底的曲率半径以及所述第一晶圆的曲率半径确定所述第一压电薄膜层的应力值。

3.如权利要求2所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，其中，σ为所述第一压电薄膜层的应力值，E_s为所述单晶衬底的杨氏模量，v_s为所述单晶衬底的泊松比，t_s为所述单晶衬底的厚度，t_f为所述第一压电薄膜层的厚度，R_s为所述单晶衬底的曲率半径，R_f为所述第一晶圆的曲率半径。

4.如权利要求1所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述低温沉积的工艺参数包括偏置功率。

5.如权利要求4所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述根据所述第一压电薄膜层的应力值确定低温沉积的工艺参数包括：

根据所述第一压电薄膜层的应力值、所述低温沉积的沉积材料、所述低温沉积的目标厚度以及所述低温沉积的目标应力值，确定所述偏置功率。

6.如权利要求4所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述偏置功率为10W至600W。

7.如权利要求1至6任一项所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述高温沉积为金属有机化合物化学气相沉积法；和/或，所述低温沉积为物理气相沉积法。

8.如权利要求1至6任一项所述的复合型压电薄膜制备方法，其特征在于，所述第一压电薄膜层的厚度为10nm至900nm；所述第二压电薄膜层的厚度为10nm至3000nm。

9.一种复合型压电薄膜，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的复合型压电薄膜制备方法制备。

10.一种谐振器，其特征在于，包括如权利要求9所述的复合型压电薄膜。