[发明专利]一种适用于3ω电学法的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置在审
| 申请号： | 202211020542.6 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115394673A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 郭怀新;姜文海;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N25/18 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市秦淮区永*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于3ω电学法的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置，包括装置控制腔体、晶圆级衬底承载台、电路探针互联模块、测试温控模块、温度显示模块及真空控制模块；装置控制腔体用于实现其他模块的集成固定；晶圆级衬底承载台用于大尺寸晶圆级衬底材料的固定和温度控制；电路探针互联模块用于解决热导率测试过程中测试样品的电信号输入和监测；测试温控模块用于控制装置内环境温度调控；真空控制模块用于控制装置内环境的真空度调控。本发明解决了现有3ω电学法热测试装置无法对大尺寸晶圆衬底直接进行任意环境条件下热导率测试的问题，提升基于3ω电学法的热测试能力和环境适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 电学 尺寸 晶圆级 衬底 测试 环境 控制 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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