[发明专利]钒掺杂单层二硫化钨薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202211006800.5 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115287595B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 邱海龙;王金航;张宏伟;胡章贵;吴以成 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/26;C23C14/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 | 代理人： | 张宏 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种钒掺杂单层二硫化钨薄膜及其制备方法，首先使用蒸镀法，将氧化钨和氧化钒在碳布上蒸成纳米线结构；再使用化学气相沉积法，以Si/SiO |
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| 搜索关键词： | 掺杂 单层 硫化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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