[发明专利]存储器在审
| 申请号： | 202210995211.8 | 申请日： | 2022-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN116234309A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李辉辉;张云森;王桂磊;赵超 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 宋海斌;韩卫城 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种存储器。在本申请实施例提供的存储器中，半导体层包括间隔设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层分布在第一栅极的侧壁并与第一栅极相绝缘且分别与源极和漏极连接；源极和衬底之间设置有两条相互隔离的第一位线和第二位线；第一位线通过源极与第一半导体层连接，第二位线通过源极与第二半导体层连接。从而使得每个垂直晶体管连接有两条位线，通过两条位线控制存储单元的数据读取操作或数据写入操作，进而能够提高数据读取和写入的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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