[发明专利]红外LED外延结构及其制造方法在审
申请号: | 202210991644.6 | 申请日: | 2022-08-18 |
公开(公告)号: | CN115498080A | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 王亚宏;李森林;廖寅生;薛龙;赖玉财;谢岚驰 | 申请(专利权)人: | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/04;H01L33/14;H01L33/00 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;杨思雨 |
地址: | 361012 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种红外LED外延结构及其制造方法,该红外LED外延结构包括从下至上依次堆叠的:衬底、第一半导体层、第一空间层、多量子阱层、第二空间层以及第二半导体层,第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型相反,其中,第一空间层和第二空间层为超晶格结构,第一空间层各层中的最高Al组分小于第二空间层各层中的最高Al组分以使第一空间层和第二空间层形成非对称结构。本申请中的非对称空间层能够提高有效势垒的高度,抑制载流子的溢出,提升对载流子的量子限制效应;并且由于超晶格的隧道特性,载流子的迁移率得到提升;此外,采用非对称设计可以有效降低载流子溢出多量子阱,改善光场分布,提升红外发光二极管的光电效率及可靠性。 | ||
搜索关键词: | 红外 led 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门士兰明镓化合物半导体有限公司,未经厦门士兰明镓化合物半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210991644.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。