[发明专利]一种分离输入的存内计算单元阵列及装置在审
申请号: | 202210984520.5 | 申请日: | 2022-08-17 |
公开(公告)号: | CN115359824A | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 乔树山;陶皓;尚德龙;周玉梅 | 申请(专利权)人: | 中科南京智能技术研究院 |
主分类号: | G11C11/417 | 分类号: | G11C11/417;G11C11/54;G06N3/063;G06F7/544 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 万慧华 |
地址: | 211100 江苏省南京市江宁*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种分离输入的存内计算单元阵列及装置。该阵列中的存内计算单元中的第一6T SRAM和第二6T SRAM并联在位线BLB和位线BL之间,且第一6T SRAM和第二6T SRAM均与字线WL连接,管M7的栅极与第一6T SRAM的节点Q连接,管M7的源极接VSS,管M7的漏极与管M8的源极连接,管M8的栅极与输入端IN1连接,管M8的漏极与位线RBL连接;管M9的栅极与第二6T SRAM的节点Q连接,管M9的源极接VSS,管M9的漏极与管M10的源极连接,管M10的栅极与输入端IN0连接,管M10的漏极与位线RBL连接;本发明能够实现低复杂度的多比特存内计算。 | ||
搜索关键词: | 一种 分离 输入 计算 单元 阵列 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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