[发明专利]一种大尺寸单晶二硫化钼的制备方法有效
| 申请号： | 202210982776.2 | 申请日： | 2022-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN115354392B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 何军;史建平;李辉;杨俊波;李晓辉 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/46;C30B29/64 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 马丽娜 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种大尺寸单晶二硫化钼的制备方法，包括如下步骤：将硫源置于第一温区，将钼源及氯化亚铁粉置于第二温区，将蓝宝石衬底置于第三温区；使载气依次通过所述第一温区、所述第二温区和所述第三温区；将所述第一温区、所述第二温区和所述第三温区升温至各自的预定温度，进行单晶二硫化钼的生长。本申请制备方法，采用氯化亚铁辅助化学气相沉积的方法，在普通无切角蓝宝石衬底上即可制备晶圆级别单晶二硫化钼薄膜，铁掺杂可进一步调控二硫化钼的能带结构，优化沟道与电极的接触；简单易操作，过程可控，所得二硫化钼晶体畴区取向一致、无畴区晶界，表现出良好的层数均匀性和晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 二硫化钼 制备 方法 | ||
【主权项】：
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