[发明专利]一种ZnO-Si p-n结压电器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210982255.7 | 申请日： | 2022-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN115472735A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 邓维礼;张洪瑞;杨维清;田果;杨涛;熊达 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;H01L41/18;H01L41/08 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 王玲玲 |
| 地址： | 610031*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种ZnO‑Si p‑n结压电器件及其制备方法，其制备方法依次包括以下步骤：在具有底部电极的基底表面，通过射频磁控溅射沉积氧化锌种子层，然后浸入生长液中浸泡，再清洗和烘干，制得氧化锌种子层上生长的氧化锌纳米棒；通过射频磁控溅射沉积p型Si薄膜；旋涂溶解有聚甲基丙烯酸甲酯的有机溶剂，然后烘干，再沉积银，制得ZnO‑Si p‑n结压电器件。本发明的制备方法简单、易操作，制得的ZnO‑Si p‑n结压电器件压电性能好，当Si薄膜载流子浓度为7.88×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 zno si 压电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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