[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在审
| 申请号： | 202210979039.7 | 申请日： | 2022-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN115720447A | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯;C·豪德;J·D·格林利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27;H10B43/10;H10B41/35;H10B41/27;H10B41/10;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 彭晓文 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成将包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠的下部部分。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区。所述第一层的材料具有与第二层的材料不同的组合物。所述下部部分包括包括绝缘材料的上部第二层。在所述下部部分上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层。形成延伸穿过所述上部部分到所述下部部分的沟道材料串。纵向沿着所述存储器块区的相对横向边缘在所述上部第二层中形成水平伸长线。所述线的材料具有与所述上部第二层中的横向位于所述线之间的所述绝缘材料的组合物不同的组合物。将水平伸长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平伸长沟槽个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间且延伸穿过所述上部部分到所述下部部分。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 存储器 单元 阵列 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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