[发明专利]一种电流密度可调的金属层布置方法及芯片金属层在审
| 申请号： | 202210976597.8 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115332165A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 刘阳;姚妍妍 | 申请（专利权）人： | 骏盈半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京智绘未来专利代理事务所(普通合伙) 11689 | 代理人： | 赵卿 |
| 地址： | 200030 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电流密度可调的金属层布置方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤1，对芯片的顶层金属的电流密度进行仿真测试，获取所述顶层金属中每一位置上的电流密度值；步骤2，将超过设计要求的所述电流密度值所对应位置上的斜向拐角改进为圆弧形拐角。本发明构思巧妙，布局合理，针对金属层面积较小的芯片局部位置，通过提升芯片的制造工艺来进一步降低芯片的局部电流密度，具有较高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流密度 可调 金属 布置 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
