[发明专利]鳍式场效应管的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202210973796.3 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115458408A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 戴韫青 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应管的刻蚀方法，提供衬底，衬底上形成有鳍式结构以及覆盖鳍式结构的第一层间介质层，研磨第一层间介质层至鳍式结构的上表面，用以形成叠层；在叠层上形成牺牲层，刻蚀牺牲层以形成mandrel图形，在叠层上形成覆盖mandrel图形的第二层间介质层，刻蚀第二层间介质层形成侧墙，之后去除剩余的牺牲层；在叠层上形成覆盖侧墙的BARC层，在BARC层上形成光刻胶层，之后光刻打开光刻胶层，使得部分BARC层裸露；刻蚀裸露的BARC层及其下方的侧墙；去除剩余的光刻胶层和BARC层，使得剩余的侧墙裸露；以侧墙为掩膜刻蚀其下方的叠层，使得部分鳍式结构被刻蚀去除。本发明在更小线宽的技术不需使用极紫外光光刻机，使用浸润式光刻机即可定义出所需之关键尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210973796.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
