[发明专利]鳍式场效应管的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202210973796.3 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115458408A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 戴韫青 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 刻蚀 方法 | ||
1.一种鳍式场效应管的刻蚀方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有鳍式结构以及覆盖所述鳍式结构的第一层间介质层，研磨所述第一层间介质层至所述鳍式结构的上表面，用以形成叠层；
步骤二、在所述叠层上形成牺牲层，刻蚀所述牺牲层以形成mandrel图形，在所述叠层上形成覆盖所述mandrel图形的第二层间介质层，刻蚀所述第二层间介质层形成侧墙，之后去除剩余的所述牺牲层；
步骤三、在所述叠层上形成覆盖所述侧墙的BARC层，在所述BARC层上形成光刻胶层，之后光刻打开所述光刻胶层，使得部分所述BARC层裸露；
步骤四、刻蚀裸露的所述BARC层及其下方的所述侧墙；
步骤五、去除剩余的所述光刻胶层和所述BARC层，使得剩余的所述侧墙裸露；
步骤六、以所述侧墙为掩膜刻蚀其下方的所述叠层，使得部分所述鳍式结构被刻蚀去除。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的刻蚀方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的刻蚀方法，其特征在于：步骤一中的所述鳍式结构有自下而上依次堆叠的多晶硅层、第一氧化层、刻蚀停止层、第二氧化层组成。
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的刻蚀方法，其特征在于：步骤一中所述第一层间介质层的材料为二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的刻蚀方法，其特征在于：步骤二中的所述牺牲层为APF层。
6.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的刻蚀方法，其特征在于：步骤二中所述第二层间介质层的材料为二氧化硅。
7.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的刻蚀方法，其特征在于：步骤三中所述BARC层包括覆盖所述侧墙的SOC层和形成于所述SOC层上的SOG层。
8.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的刻蚀方法，其特征在于：步骤四中所述刻蚀的方法为干法刻蚀。
9.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的刻蚀方法，其特征在于：步骤六中所述刻蚀的方法为干法刻蚀。
10.根据权利要求1所述的鳍式场效应管的刻蚀方法，其特征在于：所述方法用于14纳米及以下技术节点的浸润式光刻机工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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