[发明专利]在衬底上利用磁控溅射制备薄膜的方法有效
| 申请号： | 202210972675.7 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115354287B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 孙钰婷;曾昱嘉;唐伟;梁华伟 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜丽 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供在衬底上利用磁控溅射制备薄膜的方法，该方法利用了磁控溅射技术，并通过将溅射源中心与衬底中心之间设置成一定角度，然后利用纯氧对衬底表面形成的溅射薄膜表面进行原位氧化形成双层薄膜。本发明通过磁控溅射技术，并通过设置溅射源中心与衬底中心成一定角度，最优选为30°角，靶材为钴，在柔性PEN衬底上可获得高性能的双层磁性薄膜结构，其交换偏置数值是目前已知同体系实验中在柔性衬底上制备获得的最大数值6217oe。并且该薄膜在柔性衬底上具有较好的保持性，在弯曲了500次后同等条件下测试交换偏置数值并无较大的差别，弯曲前后保持在10％之内。该方法对于刚性衬底同样适用。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 利用 磁控溅射 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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