[发明专利]超导互连结构的制备方法及超导量子电路的制备方法在审
| 申请号： | 202210972234.7 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN116169096A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 徐望胜;沈龙;张润潇;马亮亮;尤兵 | 申请（专利权）人： | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H10N60/80;H10N60/82;H10N60/01;H10N60/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种超导互连结构及超导量子电路的制备方法，涉及硅通孔互连结构技术领域。本申请先在衬底上形成盲孔，然后将熔融的超导材料填入所述盲孔形成超导元件，再在所述盲孔的底部的一侧减薄所述衬底以使该盲孔形成贯穿衬底的通孔，由此即可获得贯穿衬底的超导互连结构，可以基于该超导互连结构使通孔两端的衬底表面的电路互连。本申请的方案中，熔融的超导材料填充盲孔后减薄的方式耗时短、效率高，有助于实现基于TSV的超导互连结构的快速制备。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 互连 结构 制备 方法 量子 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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