[发明专利]一种硅片中位裂纹与侧位裂纹分离化检测方法在审
| 申请号： | 202210970339.9 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115356264A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 白倩;吕启鑫;陶星宇;孙权威 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01N21/01 | 分类号： | G01N21/01;G01N21/95 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 鲁保良;李洪福 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片中位裂纹与侧位裂纹分离化检测方法，在检测过程中，中位裂纹产生的散射光与聚焦透镜产生共聚焦现象，其信号经过针孔片的针孔被左探测器接收。侧位裂纹产生的散射光由于不在检测光焦点处，不能产生共聚焦现象，不能通过针孔片的针孔，从而被反射回来，被右探测器接收，从而实现了中位裂纹与侧位裂纹信号分离，得到中位裂纹的深度与位置信息以及侧位裂纹的位置信息。本发明使用1/4波片，将包含中位裂纹和侧位裂纹的硅片散射信号的线偏振状态转化为椭圆偏振状态，同时时针孔片反射的包含侧位裂纹信号的椭圆偏振状态转化为线偏振状态，将二者的信号分离处理，扩大二者信号差异，实现更准确的亚表面损伤检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 裂纹 分离 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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