[发明专利]一种硅片中位裂纹与侧位裂纹分离化检测方法

权利要求书

1.一种硅片中位裂纹与侧位裂纹分离化检测方法，其特征在于：利用双探测器检测装置进行检测，所述的方法包括以下步骤：

A、将待测硅片(20)放置于位移平台(19)上；

B、启动激光器(1)发射激光即出射光(2)，使激光经过偏振片(3)之后变为线偏振激光即检测光束(4)，检测光束(4)经过下偏振分光镜(5)反射、经由聚焦物镜(6)聚焦到待测硅片(20)上；

经待测硅片(20)散射的包含有亚表面损伤信息的损伤散射激光(7)依次透过下偏振分光镜(5)、上偏振分光镜(8)和1/4波片(9)，经过1/4波片(9)后、入射线偏振激光(21)转化为出射椭圆偏振激光(22)；所述的损伤散射激光(7)包括中位裂纹散射光(27)和侧位裂纹散射光(28)；

包含中位裂纹(25)信息的出射椭圆偏振激光(22)通过针孔片(11)的针孔经左成像透镜(10)聚焦后被左探测器(12)接收；

包含侧位裂纹(26)信息的出射椭圆偏振激光(22)被针孔片(11)反射向下形成入射椭圆偏振激光(24)、经过1/4波片(9)后转化为出射线偏振激光(23)、再经上偏振分光镜(8)反射形成侧位裂纹反射激光(13)，向右经右成像透镜(14)聚焦后被右探测器(15)接收；

C、启动左探测器(12)和右探测器(15)探测待测硅片(20)损伤散射信号；

D、使用计算机(17)控制位移平台(19)使线偏振激光照射在待测硅片(20)表面上；控制位移平台(19)沿X轴、Y轴按照S型路线(29)进行移动，使线偏振激光完成待测硅片(20)一个平面的检测；

E、使用计算机(17)控制位移平台(19)沿Z向移动，使线偏振激光的焦点进入待测硅片(20)下一个深度，如果下一个深度小于待测硅片(20)的厚度，则转步骤D；否则转步骤F；

F、计算机(17)分析处理左探测器(12)与右探测器(15)测得的信号，得到中位裂纹(25)的深度与位置信息以及侧位裂纹(26)的位置信息。

2.根据权利要求1所述的一种硅片中位裂纹与侧位裂纹分离化检测方法，其特征在于：所述双探测器检测装置包括激光器(1)、偏振片(3)、偏振分光镜组、1/4波片(9)、聚焦物镜(6)、左成像透镜(10)、右成像透镜(14)、针孔片(11)、左探测器(12)、右探测器(15)和信号处理系统；

所述的激光器(1)提供检测光源；

所述的偏振片(3)放置于激光器(1)的前方；

所述的偏振分光镜组包括上偏振分光镜(8)和下偏振分光镜(5)，下偏振分光镜(5)位于偏振片(3)的前方，上偏振分光镜(8)位于下偏振分光镜(5)的上方，所述的聚焦物镜(6)位于下偏振分光镜(5)的下侧；所述的1/4波片(9)位于上偏振分光镜(8)的上方，所述的针孔片(11)位于左成像透镜(10)上方的焦点处；所述的左探测器(12)位于针孔片(11)上方；所述的右成像透镜(14)位于上偏振分光镜(8)右方；所述的右探测器(15)位于右成像透镜(14)的右方；

所述的信号处理系统包括数据采集卡(16)、计算机(17)、运动控制器(18)和位移平台(19)。